Intel y el fabricante de memorias Micron han presentado la tecnología 3D XPoint, que, según ambas compañías, es el primer gran avance en el ámbito de las memorias desde la llegada de la tecnología flash NAND en 1989. La tecnología 3D XPoint combina las ventajas de rendimiento, densidad, energía, no volatilidad y coste de todas las tecnologías de memoria disponibles actualmente en el mercado, según un comunicado de Intel. Y es que aporta hasta 1.000 veces más rapidez y posee hasta 1.000 veces mayor resistencia que NAND, y es 10 veces más densa que la memoria convencional.
“Durante décadas, la industria ha buscado formas de reducir el tiempo de demora entre el procesador y los datos para permitir un análisis mucho más rápido”, declara Rob Crooke, vicepresidente senior y director general del grupo de soluciones de memoria no volátil de Intel. “Uno de los obstáculos más importantes en la informática actual es el tiempo que tarda el procesador en llegar a los datos que están en el almacenamiento a largo plazo”, asegura por su parte Mark Adams, presidente de Micron.
En la medida en que el mundo digital crece rápidamente -de los 4,4 zettabytes de datos digitales creados en 2013 a los 44 zettabytes previstos en 2024-, la tecnología 3D XPoint puede convertir esta inmensa cantidad de datos en información valiosa en nanosegundos. Por ejemplo, los retailers pueden utilizar la tecnología 3D XPoint para identificar más rápidamente los patrones de detección de fraude en las transacciones financieras, mientras que los investigadores del ámbito sanitario podrán procesar y analizar grandes conjuntos de datos en tiempo real, realizando en menos tiempo tareas complejas tales como el análisis genético y el seguimiento de enfermedades.
Tras más de una década de investigación y desarrollo, la tecnología 3D XPoint ha sido desarrollada desde cero para hacer frente a la necesidad de un almacenamiento y memoria no volátil y de alto rendimiento, de alta resistencia y alta capacidad a un precio asequible, según Intel.
La innovadora arquitectura de punto de cruce con menos transistores crea un diseño tridimensional en forma de damero donde las celdas de memoria se sitúan en la intersección de las líneas de palabras y las de bits, permitiendo que las células puedan ser tratadas individualmente. Como resultado, los datos pueden ser escritos y leídos en pequeñas cantidades, permitiendo un proceso de lectura y escritura más rápido y eficiente.
